應(yīng)用案例
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設(shè)計波段頻率控制設(shè)備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經(jīng)營者的踏實,誠懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實現(xiàn)共贏的目標(biāo),以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質(zhì)量第一,客戶滿意的經(jīng)營理念,將以優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量,優(yōu)惠的價格,優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與您建立長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).

2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
3.有效利用石英晶體,貼片晶振材料資源和能源,認(rèn)識到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行石英晶振,有源晶體振蕩器,水晶振蕩子等原材料的有效利用.
4為構(gòu)建循環(huán)型社會做出貢獻(xiàn),致力于減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會.
5.推進(jìn)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

Microcrystal晶振,CC8A-T1A晶振,AT切晶振,頻率24 – 50MHZ,封裝尺寸:2.0*1.2*0.6mm
微晶晶振規(guī)格 | 單位 | CC8A-T1A晶振 | 石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 24 – 50MHZ | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 | T_stg | -55°C ~ +125°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use | -40°C ~ +85°C | 標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 | DL | 250μW Max. | 推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±50 × 10-6 ~ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.omrb.cn |
頻率溫度特征 | f_tem | ±50 × 10-6/-20°C ~ +70°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 | CL | 3.0 / 9.0 / 16.0PF | 不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±3 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
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鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。
在設(shè)計時
機械振動的影響
當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。
這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
質(zhì)量政策
微晶晶體振蕩器術(shù)語及應(yīng)用說明
標(biāo)稱頻率:晶體振蕩器的中心或標(biāo)稱輸出頻率。
封裝:晶體振蕩器從引腳通孔到表面貼裝類型封裝成各種類型。各種尺寸和功能適用于不同的應(yīng)用。
頻率容差:在室溫下以百萬分率(ppm)表示的與標(biāo)稱頻率的偏差。(25°±5°C)
頻率范圍:振蕩器類型或型號可提供的頻段。
頻率穩(wěn)定度:相對于在溫度窗口25°C時測得的頻率(即0°C至+ 70°C)的最大允許頻率偏差。典型穩(wěn)定度為±0.01%(±100 ppm)。
工作溫度:輸出頻率和其他電氣,環(huán)境特性符合規(guī)格的溫度范圍。
老化:相對頻率在一段時間內(nèi)發(fā)生變化。這種頻率變化率通常是指數(shù)性的。通常情況下,最多1年的老化率為±5 ppm。
存儲溫度:在不損壞或改變設(shè)備性能的情況下安全存放設(shè)備的溫度范圍(未施加電源電壓)。
頻率與電源變化:當(dāng)電源電壓在指定限制內(nèi)??變化時,允許的最大頻率變化(典型值±10%Vcc或±5%變化)。
電源電壓(Vdd max):可以安全施加到Vcc端子相對于地的最大電壓。TTL的最大電源電壓為5.5V,HCMOS的最大電源電壓為6V。
輸入電壓(VIN):可安全施加到振蕩器任何輸入端的最大電壓。
輸出高電壓(VOH):正常負(fù)載下振蕩器輸出端的最小電壓。
輸出低電壓(VOL):適當(dāng)負(fù)載下振蕩器輸出端的最大電壓。
電源電流(Icc):流入Vcc端子的電流相對于地。典型的電源電流在無負(fù)載情況下測量
對稱或占空比:輸出波形在特定電平(TTL為1.4V,HCMOS為1 / 2Vcc或ECL為1/2波形峰值電平)時的對稱性。
SYM = TH / T×100(%); 參見圖1。
上升時間(Tr):在指定電平(HCMOS,ECL為20%至80%,TTL為0.4V至2.4V)下,從低電平到高電平轉(zhuǎn)換的波形上升時間。
下降時間(Tf):在特定電平(HCMOS,ECL為80%至20%,TTL為2.4V至0.4V)下測量的從高電平到低電平轉(zhuǎn)換的波形下降時間。
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