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應(yīng)用案例

首頁(yè)應(yīng)用案例移動(dòng)產(chǎn)品NDK晶振,石英晶振,NX1612SB晶振

    NDK晶振,石英晶振,NX1612SB晶振

  • 產(chǎn)品型號(hào):77739801
  • 晶振頻率:26.000~76.800MHZ
  • 晶振尺寸:1.6*1.2*0.45mm 詳細(xì)資料參考PDF
  • 產(chǎn)品應(yīng)用: 貼片晶振采用了多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍...


  日本電波工業(yè)株式NDK晶振所說(shuō)的LCA指的是“生命周期評(píng)估”,它包括評(píng)估產(chǎn)品的壽命。在這里,產(chǎn)品的生命不僅僅是產(chǎn)品本身的制造階段,而是包括原料組成產(chǎn)品的零件/材料的開(kāi)采階段,包括產(chǎn)品的制造階段,銷售階段,包括到產(chǎn)品交付給用戶使用的階段,包括產(chǎn)品使用由用戶和維修/維護(hù)參與它,和處置階段,通過(guò)用戶廢棄產(chǎn)品回收,回收或處置。在ISO14000系列環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)中也建立了國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
    日本電波工業(yè)株式NDK晶振超低電壓驅(qū)動(dòng)的CO2排放量(0.8V ~)型
時(shí)鐘晶體振蕩器(nz2520sf)采用最先進(jìn)的技術(shù)和傳統(tǒng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)(2700系列)是由環(huán)境LCA技術(shù)相比。二氧化碳排放量的計(jì)算量的部分制造,產(chǎn)品制造和我們的產(chǎn)品納入筆記本電腦的功耗,以及產(chǎn)品運(yùn)輸?shù)娜剂舷牧俊K捎玫姆治龇椒ㄊ?ldquo;現(xiàn)場(chǎng)類型”,研究工廠和生產(chǎn)線單位的功耗,然后從產(chǎn)品的總金額,每產(chǎn)品的功耗。

NDK晶振規(guī)格 單位 NX1612SB晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 26 - 76.8 MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg −40 - +85 °C 裸存
工作溫度 T_use −30 - +85 °C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 10μW Max. 推薦:1μW ~ 100μW
頻率公差 f_— l ±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±10 × 10-6 ~ ±12 × 10-6 可用)
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.omrb.cn
頻率溫度特征 f_tem ±10 × 10-6/-30°C ~ +85°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 7PF 不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年

   
晶振使用說(shuō)明
    支架:一個(gè)箱體,內(nèi)裝一塊薄薄的石英晶體或帶有真空蒸發(fā)金屬電極的晶體條和用于連接的端子。
    頻率:每秒輸出波形的周期數(shù)。頻率單位是每秒周期數(shù),或赫茲,縮寫(xiě)為Hz。
    基本模式:晶體的主要模式。
    Overtone模式:根據(jù)指定的振蕩模式分配給奇數(shù)的頻率。標(biāo)準(zhǔn)的第三種泛音模式,其次是第五,第七,第九等。超越第九種泛音是不切實(shí)際的。這些頻率并不完全是基頻的三倍,五倍,七倍或九倍。
    頻率容差:室溫下與標(biāo)稱頻率的允許偏差。頻率容差以百分比表示,典型值為±0.005%或百萬(wàn)分率(ppm),±50ppm。
等效串聯(lián)電阻:晶體在工作諧振電路中表現(xiàn)出的阻抗值。
    驅(qū)動(dòng)電平:電路中晶體的功耗量。驅(qū)動(dòng)電平以毫瓦或微瓦表示。過(guò)高的驅(qū)動(dòng)電平會(huì)導(dǎo)致長(zhǎng)期的頻率漂移或晶體破裂。
    老化:相對(duì)頻率在一段時(shí)間內(nèi)發(fā)生變化。這種頻率變化率通常是指數(shù)性的。通常情況下,老化在頭30天內(nèi)計(jì)算,并計(jì)算長(zhǎng)期(一年或十年)。最高的老化率在手術(shù)的第一周內(nèi)發(fā)生,之后緩慢下降。
    頻率穩(wěn)定度:與指定溫度范圍內(nèi)(即0至+ 70°C)25°C時(shí)的測(cè)量頻率相比,最大允許頻率偏差。
    并聯(lián)電容:并聯(lián)電容(CO)是晶體端子之間的電容。它隨封裝而變化,通常它在SMD中較小(典型值為4pF),在含鉛晶體中為6pF。
    雜散:通常在工作模式之上的不需要的共振,以dB最大值指定?;駿SR的次數(shù)。頻率范圍必須指定。例如,在F0±200kHz的頻率窗口中,雜散響應(yīng)應(yīng)至少為6dB或2.5×R。
    振動(dòng)模式:石英晶體的振動(dòng)模式隨晶體切割而變化,例如AT切割和BT切割的厚度剪切,或音叉晶體的彎曲模式(+ 5oX)切割,或CT,DT切割的面切模式。最流行的切割是AT切割,它可以在寬廣的溫度變化范圍內(nèi)提供對(duì)稱的頻移。
    工作溫度范圍:晶體單元在特定條件下工作的溫度范圍。
    負(fù)載電容:負(fù)載電容(CL)是振蕩器對(duì)兩個(gè)晶體端子的總電容量。當(dāng)晶體在并聯(lián)模式下使用時(shí),需要指定負(fù)載電容。
排放。

    自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
    自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
    每
個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
    (1)陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
    在焊接陶瓷封裝產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146晶振,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
    陶瓷包裝產(chǎn)品
    在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
    (2)陶瓷封裝產(chǎn)品
    在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
    (3)柱面式產(chǎn)品
    產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開(kāi)裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)晶體產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
    
(4)DIP 產(chǎn)品
    已變形的引腳不能插入板孔中。請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免引腳變形。
   
(5)SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品
    請(qǐng)勿施加過(guò)大壓力,以免引腳變形。已變形的引腳焊接時(shí)會(huì)造成浮起。尤其是SOP產(chǎn)品需要更加小心處理。

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