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首頁(yè)新聞中心 SUNTSU晶體振蕩器選型表

SUNTSU晶體振蕩器選型表

來(lái)源:http://www.omrb.cn 作者:泰河盛晶振 2023年07月06

  Suntsu 晶體振蕩器采用通孔或表面貼裝封裝,有多種尺寸可供選擇。我們提供寬頻率范圍以及許多不同的電壓和邏輯選項(xiàng)。從下面列出的數(shù)據(jù)表中選擇一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)零件編號(hào),或聯(lián)系我們的銷售團(tuán)隊(duì),請(qǐng)求您想要的任何定制參數(shù),我們將根據(jù)您的特定需求進(jìn)行設(shè)計(jì)。http://www.omrb.cn/contact/ 

  晶體振蕩器是一種電子電路,它利用壓電材料振動(dòng)晶體的機(jī)械共振來(lái)產(chǎn)生頻率非常精確的電信號(hào)。該頻率通常用于跟蹤時(shí)間,為數(shù)字集成電路提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),以及穩(wěn)定無(wú)線電發(fā)射器和接收器的頻率。

Series Image Logic Package Stability To Voltage(s) Frequency Reel Key Feature Link
SXO11C SXO11C Oscillator CMOS 1.6X1.2 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 1.000MHz - 80.000MHz 3K Ultra-Miniature Package Product Learn More
SAO21C SAO21C Oscillator CMOS 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±30ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 32.768kHz, 0.250MHz – 125.000MHz 3K AEC-Q100 Compliant Product Learn More
SXO21C SXO21C Oscillator CMOS 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 1.000MHz - 60.000MHz 3K Ultra-Miniature Package Product Learn More
SAO22C SAO22C Oscillator CMOS 2.5X2.0 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±30ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 32.768kHz, 0.250MHz – 125.000MHz 3K AEC-Q100 Compliant Product Learn More
SXO22C SXO22C Oscillator CMOS 2.5X2.0 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 32.768kHz, 1.000MMz - 110.000MHz 3K Ultra-Miniature Package Product Learn More
SUO22P SUO22P Oscillator LVPECL 2.5X2.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 13.500MHz - 156.250MHz 3K Ultra Low Jitter Product Learn More
SUO22L SUO22L Oscillator LVDS 2.5X2.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 13.500MHz - 156.250MHz 3K Ultra Low Jitter Product Learn More
SQG22C SQG22C Oscillator CMOS 2.5X2.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 250.000MHz 3K Programmed Oscillator, Low Jitter Product Learn More
SQG22P SGQ22P Oscillator LVPECL 2.5X2.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 1500.000MHz 3K Programmed Oscillator, Low Jitter Product Learn More
SQG22L SQG22L Oscillator LVDS 2.5X2.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 1500.000MHz 3K Programmed Oscillator, Low Jitter Product Learn More
SQC32C SQG32C Oscillator CMOS 3.0X2.5 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V, 5.0V 1.000MHz - 133.000MHz 1K Quick Turn, Programmed Oscillator Product Learn More
SAO32C SAO32C Oscillator CMOS 3.2X2.5 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±30ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 32.768kHz, 0.250MHz – 125.000MHz 3K AEC-Q100 Compliant Product Learn More
SEO324 SEO324 Oscillator CMOS 3.2X2.5 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 1.000MHz – 150.000MHz 3K High Stability Over Extended Temperature Product Learn More
SLO32L SLO32L Oscillator LVDS 3.2X2.5 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 100.000MHz - 320.000MHz 3K Low current, Ultra Low Jitter Product Learn More
SLO32P SLO32P Oscillator LVPECL 3.2X2.5 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 100.000MHz - 320.000MHz 3K Low current, Ultra Low Jitter Product Learn More
SQG32C SQG32C Oscillator CMOS 3.2X2.5 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 250.000MHz 3K Miniature package, quick turn, low jitter, wide frequency range Product Learn More
SQG32P SQG32P Oscillator LVPECL 3.2X2.5 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 1500.000MHz 3K Miniature package, quick turn, low jitter, wide frequency range Product Learn More
SQG32L SQG32L Oscillator LVDS 3.2X2.5 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 1500.000MHz 3K Miniature package, quick turn, low jitter, wide frequency range Product Learn More
SSO32C SSO32C Oscillator CMOS 3.2X2.5 SILICON SMD (4PAD) OSCILLATOR ±50ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 0.01MHz – 212.500MHz 3K All Silicon without Quartz and MEMS Product Learn More
SSO32L SSO32L Oscillator LVDS 3.2X2.5 SILICON SMD (6PAD) OSCILLATOR ±50ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 0.01MHz – 350.000MHz 3K All Silicon without Quartz and MEMS Product Learn More
SSO32P SSO32P Oscillator LVPECL 3.2X2.5 SILICON SMD (6PAD) OSCILLATOR ±50ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 0.01MHz – 350.000MHz 3K All Silicon without Quartz and MEMS Product Learn More
SUO32P SUO32P Oscillator LVPECL 3.2X2.5 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V 80.000 - 170.000MHz 3K Ultra Low Jitter Product Learn More
SUO32L SUO32L Oscillator LVDS 3.2X2.5 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V 80.000 - 170.000MHz 3K Ultra Low Jitter Product Learn More
SXO32C SXO32C Oscillator CMOS 3.2X2.5 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 32.768kHz, 1.000MHz - 133.000MHz 3K Ultra-Miniature Package Product Learn More
SLO53L SLO53L Oscillator LVDS 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 100.000MHz - 320.000MHz 1K Low current, Ultra Low Jitter Product Learn More
SLO53P SLO53P Oscillator LVPECL 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 100.000MHz - 320.000MHz 1K Low current, Ultra Low Jitter Product Learn More
SQC53C SQC53C Oscillator CMOS 5.0X3.2 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V, 5.0V 1.000MHz - 133.000MHz 1K Quick Turn, Programmed Oscillator Product Learn More
SQG53C SQG53C Oscillator CMOS 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 250.000MHz 1K Programmed Oscillator, Low Jitter Product Learn More
SQG53P SQG53P Oscillator LVPECL 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 1500.000MHz 1K Programmed Oscillator, Low Jitter Product Learn More
SQG53L SQG53L Oscillator LVDS 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 10.000MHz - 800.000MHz 1K Programmed Oscillator, Low Jitter Product Learn More
SUO53P SUO53P Oscillator LVPECL 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V 80.0000 - 170.000MHz 1K Ultra Low Jitter Product Learn More
SUO53L SUO53L Oscillator LVDS 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V 80.0000 - 170.000MHz 1K Ultra Low Jitter Product Learn More
SXO53C SXO53C Oscillator CMOS 5.0X3.2 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 32.768kHz, 1.000MHz - 160.000MHz 1K Miniature Package Product Learn More
SXO53P SXO53P Oscillator LVPECL 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 20.000MHz - 160.000MHz 1K Low Jitter Product Learn More
SXO53L SXO53L Oscillator LVDS 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 20.000MHz - 160.000MHz 1K Low Jitter Product Learn More
SXO53H SXO53H Oscillator HCSL 5.0X3.2 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±25ppm 2.5V, 3.3V 100MHz, 125MHz 1K Low Jitter, Miniature Package Product Learn More
SLO75L SLO75L Oscillator LVDS 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 100.000MHz - 320.000MHz 1K Low current, Ultra Low Jitter Product Learn More
SLO75P SLO75P Oscillator LVPECL 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 100.000MHz - 320.000MHz 1K Low current, Ultra Low Jitter Product Learn More
SQG75C SQG75C Oscillator CMOS 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 250.000MHz 1K Programmed Oscillator, Low Jitter Product Learn More
SQG75P SGQ75P Oscillator LVPECL 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 1500.000MHz 1K Programmed Oscillator, Low Jitter Product Learn More
SQG75L SQG75L Oscillator LVDS 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 8.000MHz - 1500.000MHz 1K Programmed Oscillator, Low Jitter Product Learn More
SQC75C SQC75C Oscillator CMOS 7.0X5.0 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V, 5.0V 1.000MHz - 133.000MHz 1K Quick Turn, Programmed Oscillator Product Learn More
SUO75P SUO75P Oscillator LVPECL 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V 80.000 - 170.000MHz 1K Ultra Low Jitter Product Learn More
SUO75L SUO75L Oscillator LVDS 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V 80.000 - 170.000MHz 1K Ultra Low Jitter Product Learn More
SXO75C SXO75C Oscillator CMOS 7.0X5.0 CERAMIC SMD (4PAD) OSCILLATOR ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 32.768kHz, 1.000MHz - 200.000MHz   Standard Package Product Learn More
SXO75P SXO75P Oscillator LVPECL 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 20.000MHz - 260.000MHz 1K Low Jitter, Wide Frequency Range. Product Learn More
SXO75L SXO75L Oscillator LVDS 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±20ppm 2.5V, 3.3V 20.000MHz - 260.000MHz 1K Low Jitter, Wide Frequency Range Product Learn More
SXO75H SXO75H Oscillator HCSL 7.0X5.0 CERAMIC SMD (6PAD) OSCILLATOR ±25ppm 2.5V, 3.3V 100MHz, 125MHz 1K Low Jitter Product Learn More
SXOHSC SXOHSC Oscillator CMOS/TTL 8 PIN DIP OSCILLATOR 13.2x13.2 ±20ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5.0V 32.768kHz - 155.520MHz N/A Wide Frequency Range Product Learn More
SXOPJC SXOPJC Oscillator CMOS 14X9.8 PLASTIC SMD (J-LEAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V, 5.0V 1.000MHz - 125.000MHz 1K Plastic J-Lead Package Product Learn More
SQCPJC SQCPJC Oscillator CMOS 14X9.8 PLASTIC SMD (J-LEAD) OSCILLATOR ±20ppm 3.3V, 5.0V 1.000MHz - 133.000MHz 1K Quick Turn, Programmed Oscillator, J-Lead package Product Learn More
SXOFSC SXOFSC Oscillator CMOS/TTL 14 PIN DIP OSCILLATOR 20.7x13.1 ±20ppm 2.5V, 3.3V, 5.0V 32.768kHz - 150.000MHz N/A Wide Frequency Range Product Learn More

什么是石英晶體振蕩器?

 

石英晶體振蕩器是設(shè)備中的電子電路。 它產(chǎn)生具有一致且連續(xù)的振幅和特定頻率的輸出信號(hào)。鑒于振蕩器將在一般頻率下生成波形,因此它通常也稱為電子設(shè)備的波形發(fā)生器。 電子振蕩器常見(jiàn)于數(shù)字鐘表、計(jì)算機(jī)和許多復(fù)雜的電子系統(tǒng)中。電子振蕩器產(chǎn)生的特定頻率的交流信號(hào)廣泛用于無(wú)線電或電視信號(hào)傳輸。

 
 

振蕩器的工作原理

 

電子振蕩器的主要作用是將直流 (DC) 電源轉(zhuǎn)換為交流 (AC) 信號(hào),用于操作電子設(shè)備。電子振蕩器產(chǎn)生的信號(hào)形式通常是來(lái)自周期性電子信號(hào)的正弦波或方波。當(dāng)直流電源連接到電子電路時(shí),這足以讓振蕩器借助晶體管或真空管產(chǎn)生特定頻率的交流信號(hào)。另一方面,與振蕩器配合使用的放大器需要外部輸入來(lái)產(chǎn)生信號(hào)。

 
 

典型振蕩器類型

 

根據(jù)電子振蕩器產(chǎn)生的波形類型,電子振蕩器的兩種主要類型是線性振蕩器和非線性振蕩器。線性電子振蕩器也稱為諧波振蕩器,產(chǎn)生正弦輸出。非線性電子振蕩器也稱為松弛振蕩器,產(chǎn)生非正弦輸出。就振蕩器的元件類型而言,主要分類是RC,LC和晶體。振蕩器還具有它們產(chǎn)生的頻率水平,范圍從低到高。

 
 

諧波振蕩器

 

諧波振蕩器是一種線性振蕩器,最常用作電子放大器。它們使用包括電子放大器在內(nèi)的反饋電阻來(lái)增加負(fù)電阻。這種類型的諧波振蕩器產(chǎn)生正弦輸出,這是作為平滑周期振蕩一部分的連續(xù)波。

 
 

反饋振蕩器

 

反饋振蕩器是一種諧波振蕩器,通常根據(jù)其反饋回路中使用的特定類型的頻率選擇濾波器來(lái)表征。反饋振蕩器的類別包括RC、LC和晶體振蕩器。這些類型的振蕩器包含一個(gè)反饋網(wǎng)絡(luò),足以滿足振蕩器電路內(nèi)的振蕩要求。

 
 

負(fù)電阻振蕩器

 

與反饋振蕩器不同,負(fù)電阻振蕩器不包括反饋網(wǎng)絡(luò)。負(fù)電阻振蕩器的典型范圍等于或高于微波范圍,因?yàn)榉答佌袷幤饔捎谄浞答伮窂街械南嘁疲ǔo(wú)法在這些較高頻率下可靠地工作。負(fù)電阻振蕩器的諧振電路連接在具有負(fù)差分電阻的電子設(shè)備上。從直流信號(hào)向諧振電路供電。最終,當(dāng)電子電路的內(nèi)部損耗電阻被負(fù)電阻抵消時(shí),會(huì)產(chǎn)生所需諧振頻率的振蕩。

 
 

壓控振蕩器 (VCO)

 

壓控振蕩器 (VCO) 的設(shè)計(jì)使得器件的設(shè)定頻率可以通過(guò)改變施加到振蕩器的電流或電壓在指定范圍內(nèi)改變。這種類型的振蕩器最常見(jiàn)于鎖相環(huán),它允許VCO的頻率與另一個(gè)振蕩器一起設(shè)置。當(dāng)用于發(fā)送和接收無(wú)線電信號(hào)時(shí),VCO通常在諧振器或振蕩器上添加一個(gè)變?nèi)荻O管。VCO輸入電壓的增加會(huì)導(dǎo)致電容的充電速率加快。

 
 

晶體振蕩器

 

晶體振蕩器是設(shè)計(jì)和制造各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的中流砥柱。對(duì)于晶體振蕩器,產(chǎn)生的特定頻率可以從32.768kHz到超過(guò)150MHz。在較高頻率下,晶體振蕩器更可能用于傳輸無(wú)線電信號(hào)。 晶體振蕩器常見(jiàn)于Suntsu的許多高質(zhì)量電子設(shè)備和產(chǎn)品中,因?yàn)樗鼈兙哂性谕獠孔兓那闆r下保持準(zhǔn)確和穩(wěn)定頻率的特性。 在機(jī)械操作方面,石英晶體諧振器的機(jī)械振動(dòng)決定了晶體振蕩器產(chǎn)生的特定頻率。

 
 

表面聲波 (SAW) 振蕩器

 

表面聲波(SAW)振蕩器對(duì)于產(chǎn)生手機(jī)所需的無(wú)線電信號(hào)至關(guān)重要。SAW振蕩器與其他形式的振蕩器的不同之處在于,它們依賴于來(lái)自材料表面的聲波來(lái)處理信號(hào)。在SAW振蕩器中,輸入換能器將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為聲波。波在通過(guò)固體傳播介質(zhì)后由輸出換能器再次轉(zhuǎn)換為信號(hào)。

 
 

晶體振蕩器電路

 

晶體與沒(méi)有石英晶體的振蕩器選項(xiàng)之間的差異體現(xiàn)在終端器件的功能上,晶體振蕩器是許多需要精確穩(wěn)定頻率的器件的熱門選擇。晶體振蕩器電路在電子設(shè)備中無(wú)處不在,具有一流的可靠性能,這就是為什么它們被如此廣泛地納入Suntsu銷售的產(chǎn)品中的原因。它們依靠石英晶體的壓電效應(yīng)來(lái)幫助電子設(shè)備在其使用壽命內(nèi)保持正常和高效地工作。將交流信號(hào)施加到石英晶體上會(huì)導(dǎo)致其振動(dòng),從而產(chǎn)生特定的信號(hào)輸出。石英振蕩器電路的諧振頻率僅因外部溫度的變化或石英晶體振蕩器的使用壽命而發(fā)生輕微變化。

 
 

微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 振蕩器

 

微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)振蕩器專門用于定時(shí)器件。振蕩器內(nèi)的MEMS諧振器有助于設(shè)置所需頻率,MEMS振蕩器中的頻率往往比其他電子設(shè)備高得多。MEMS振蕩器被認(rèn)為是石英晶體振蕩器的尖端創(chuàng)新,自2006年以來(lái)一直被普遍集成到商業(yè)設(shè)備中。它們對(duì)機(jī)械應(yīng)力和外部溫度變化的抵抗力有所提高,從而提高了頻率的穩(wěn)定性。

 
 

科爾皮茨晶體振蕩器

 

Colpitts晶體振蕩器依靠電感器和電容器的組合來(lái)產(chǎn)生并保持其在所需頻率水平上的連續(xù)振蕩。Colpitts振蕩器的區(qū)別在于其分壓器由兩個(gè)串聯(lián)諧振工作的電容器組成。

 
 

皮爾斯晶體振蕩器

 

皮爾斯晶體振蕩器是一種源自科爾皮茨晶體振蕩器的電子振蕩器。數(shù)字IC時(shí)鐘振蕩器中幾乎所有的振蕩器都是Pierce品種。這是因?yàn)樵摃r(shí)鐘振蕩器的組成使其成為制造所需零件的相當(dāng)簡(jiǎn)單的振蕩器電路。它僅包含一個(gè)數(shù)字逆變器和電阻器以及兩個(gè)電容器和石英晶體。Suntsu 能夠以如此合理的價(jià)格提供如此高質(zhì)量和高性能的電子設(shè)備的原因之一是,這種高效振蕩器的制造成本明顯低于材料密集型振蕩器和電子電路的成本。

 
 

CMOS晶體振蕩器

 

互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體邏輯 (CMOS) 晶體振蕩器電路特別適用于時(shí)鐘恢復(fù)、頻率合成、鎖相環(huán) (PLL)、合成、系統(tǒng)基準(zhǔn)、時(shí)鐘轉(zhuǎn)換和多路復(fù)用。采用CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)IC,采用石英晶體作為源時(shí)鐘。這種類型的晶體振蕩器具有受控的上升(輸出波形從低電壓電平變?yōu)楦叩碾妷弘娖剑┖拖陆担ㄝ敵霾ㄐ螐妮^高電壓電平恢復(fù)到低電壓電平)倍,這要?dú)w功于高速CMOS,波形是矩形的。

 
 

微處理器振蕩器

 

在幾乎所有微處理器中,都有兩個(gè)振蕩器引腳OSC1和OSC2連接到振蕩器電路,振蕩器電路產(chǎn)生方波脈沖,并根據(jù)活化石英晶體的振動(dòng)幫助確定器件的頻率。該特定設(shè)備頻率是設(shè)備處理器接收運(yùn)行所需的信號(hào)和信息的方式。

 
 

振蕩器應(yīng)用

 

振蕩器能夠運(yùn)行一長(zhǎng)串電子設(shè)備,這些電子設(shè)備都依賴于特定頻率的穩(wěn)定性才能按預(yù)期工作。振蕩器的一些最常見(jiàn)的應(yīng)用包括石英表、無(wú)線電信號(hào)發(fā)射器、音頻系統(tǒng)、視頻系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)、逆變器、金屬探測(cè)器、微處理器、水表、電信、基站、中繼器、警報(bào)器、銣振蕩器原子鐘和照明系統(tǒng)。

 
 

振蕩器電路

 

振蕩器電路是自我維持的,因?yàn)樗鼈円院愣ǖ乃俾屎头€(wěn)定的頻率產(chǎn)生周期性波形。振蕩器反饋諧振器電路中的損耗可以通過(guò)電感器或電容器以及以精確的頻率電平向諧振器施加直流信號(hào)來(lái)克服。由于振蕩器電路用作放大器,從正反饋產(chǎn)生輸出頻率,因此不需要輸入信號(hào)即可產(chǎn)生所需的頻率。

 
 

振蕩器諧振

 

諧振頻率的振蕩器有時(shí)也稱為調(diào)諧電路。當(dāng)振蕩器電路的容抗和感抗相同時(shí),就會(huì)發(fā)生這種情況,這意味著電路的電阻與電流相反。因此,電流與電路電壓保持同相,而不會(huì)產(chǎn)生任何相移。在諧振頻率下,與非諧振頻率下相同力水平產(chǎn)生的振蕩相比,對(duì)電路施加振蕩力允許以更高的幅度振蕩。

 
 

振蕩器頻率值

 

振蕩器頻率值通常以赫茲 (Hz) 為單位,根據(jù)將波長(zhǎng)劃分為速度的公式進(jìn)行評(píng)估和測(cè)量。這以每秒振蕩周期數(shù)跟蹤振蕩器波形輸出。振蕩器所需的頻率值取決于其特定用途,并將在振蕩器的制造過(guò)程中設(shè)置。

 
 

無(wú)反饋電阻的振蕩器增益

 

反饋電阻設(shè)置振蕩器電路的偏置并確定其穩(wěn)定性。反饋電阻也稱為Rƒ。為了使振蕩器中的反饋電阻產(chǎn)生負(fù)反饋,它將部分輸出信號(hào)反饋到放大器的負(fù)端。

 
 

常見(jiàn)問(wèn)題

 

振蕩器使用哪些類型的電路?

在振蕩器中,除了石英晶體振蕩器電路外,還有兩種主要選項(xiàng)可以集成到諧波或線性振蕩器中。當(dāng)需要較低頻率時(shí),首選電阻電容(RC)電路。相反,電感電容(LC)電路通常用于需要更高頻率的情況。

如何指定振蕩器的整體頻率穩(wěn)定性?

振蕩器的整體頻率穩(wěn)定性通過(guò)在特定于振蕩器功能的參數(shù)范圍內(nèi)設(shè)置和操作器件來(lái)指定。這些參數(shù)通常包括用于校準(zhǔn)振蕩器頻率公差、回流焊和第一年老化的精確溫度,以及振蕩器輸出負(fù)載、電源電壓、沖擊和振動(dòng)設(shè)置的規(guī)格。

該產(chǎn)品系列的頻率穩(wěn)定性和工作溫度范圍選項(xiàng)有哪些?

對(duì)于振蕩器,頻率穩(wěn)定性和工作溫度范圍選項(xiàng)在Suntsu提供的每個(gè)特定產(chǎn)品系列的數(shù)據(jù)表中注明。在設(shè)置和使用帶振蕩器的器件時(shí),遵守這些范圍規(guī)范對(duì)于確保振蕩器在其運(yùn)行的電子設(shè)備的預(yù)期使用壽命內(nèi)產(chǎn)生并保持其所需頻率至關(guān)重要。頻率穩(wěn)定性可達(dá)±10pm~100pm,工作溫度選項(xiàng)為-40~85°C。

什么是三態(tài)輸出函數(shù)?

振蕩器的三態(tài)輸出選項(xiàng)是指使用三態(tài)引腳來(lái)控制振蕩器的輸出功能。這意味著振蕩器的輸出可以通過(guò)外部電源進(jìn)行控制。振蕩器輸出使能引腳的邏輯電平?jīng)Q定了振蕩器是處于低頻還是高阻抗?fàn)顟B(tài)。有三種狀態(tài):?jiǎn)⒂谩⒔煤蜔o(wú)連接。

什么是振蕩器老化,振蕩器的老化規(guī)格是什么?

振蕩器老化是指晶體振蕩器的頻率在器件使用壽命內(nèi)發(fā)生非常小的變化。晶體振蕩器的老化可以通過(guò)晶體在其制造和包裝過(guò)程中的物理尺寸的變化或溫度和其他環(huán)境因素的變化引起的應(yīng)力來(lái)加速。施加在振蕩器指定范圍之外的應(yīng)力和外部壓力越多,振蕩器老化過(guò)程的加速和電子設(shè)備可用壽命的縮短就越快。對(duì)于高質(zhì)量的晶體振蕩器,例如Suntsu提供的OCXO,它們通常記錄非常低的老化速率,每天±0.1ppb,標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩器老化率為每年±3ppm。

什么是有效值相位抖動(dòng)?相位噪聲特性是什么?

振蕩器中的相位抖動(dòng)通常也稱為定時(shí)抖動(dòng)。當(dāng)信號(hào)接近振蕩頻率時(shí),電子振蕩器中的相位噪聲水平通常會(huì)增加。振蕩器的RMS相位抖動(dòng)是以皮秒(pSec)表示的時(shí)間測(cè)量值,是指如何根據(jù)相位噪聲計(jì)算相位抖動(dòng)。在振蕩器中,相位噪聲分量將器件信號(hào)移動(dòng)到相鄰頻率,從而產(chǎn)生各種噪聲邊帶。振蕩器的相位噪聲通常包括白噪聲和低頻閃爍噪聲。

什么是緊占空比(對(duì)稱性)?

振蕩器的嚴(yán)格占空比評(píng)估輸出波的均勻性或?qū)ΨQ性。為了在對(duì)稱性方面獲得完全完美的波形,波形將在50%的時(shí)間內(nèi)處于完美的邏輯高電平狀態(tài),而在另外50%的時(shí)間內(nèi)處于邏輯低電平狀態(tài)。這表示為 50/50%。就振蕩器輸出波的對(duì)稱性而言,45/55% 的測(cè)量值被認(rèn)為是一個(gè)緊密的占空比。

晶體振蕩器的輸出和輸出負(fù)載特性是什么?

晶體振蕩器輸出將根據(jù)施加到振蕩器輸出端口的負(fù)載變化而有所不同。CMOS振蕩器通常與15pF負(fù)載一起使用,但由于要求高速開(kāi)關(guān),對(duì)LVPECL和LVDS的需求有所增加。對(duì)于TCXO,削波正弦波輸出是標(biāo)準(zhǔn)配置,但可以使用CMOS。對(duì)于大多數(shù)電子設(shè)備的使用,對(duì)振蕩器的負(fù)載施加可以在很大程度上得到控制,這意味著大多數(shù)高質(zhì)量振蕩器的負(fù)載靈敏度不是主要問(wèn)題。每個(gè)單元都有輸出負(fù)載類型的參數(shù)及其最大值,以正確連接到振蕩器電路。遵守特定振蕩器的輸出負(fù)載規(guī)格范圍并避免超過(guò)其輸出負(fù)載能力至關(guān)重要,這樣振蕩器才能在其預(yù)期的使用壽命內(nèi)以一致的頻率穩(wěn)定振動(dòng)。

啟動(dòng)時(shí)間是多久?

就晶體振蕩器啟動(dòng)的過(guò)程而言,產(chǎn)生的即時(shí)頻率不穩(wěn)定或恒定。反過(guò)來(lái),晶體振蕩器的時(shí)鐘頻率在此初始周期內(nèi)不穩(wěn)定。因此,一些微控制器依賴于振蕩器啟動(dòng)定時(shí)器(OST),因此電子設(shè)備保持其復(fù)位模式,直到晶體振蕩器預(yù)熱并以所需頻率工作。晶體振蕩器達(dá)到這種穩(wěn)定頻率狀態(tài)所需的時(shí)間就是振蕩器的啟動(dòng)時(shí)間。根據(jù)器件內(nèi)運(yùn)行的特定振蕩器,啟動(dòng)時(shí)間會(huì)有所不同,并在各個(gè)產(chǎn)品的數(shù)據(jù)表中指定。

晶體振蕩器有極性嗎?

晶體振蕩器具有極性,因?yàn)榧呻娐肥乔度胧降?。通常,CMOS輸出晶體振蕩器具有四種焊盤配置。它們需要電源、接地、輸出和三態(tài)。LVPECL和LVDS振蕩器等差分振蕩器需要6個(gè)焊盤來(lái)增加差分輸出。

晶體振蕩器是如何失效的?

晶體振蕩器可能由于各種原因而失效,但用于制造晶體振蕩器的石英晶體材料的質(zhì)量以及制造過(guò)程的精度和準(zhǔn)確度會(huì)對(duì)晶體振蕩器的有效性和壽命產(chǎn)生重大影響。這就是為什么Suntsu所有電子設(shè)備和產(chǎn)品中的晶體振蕩器都符合最嚴(yán)格的設(shè)計(jì)和制造標(biāo)準(zhǔn)。在石英晶體振蕩器振蕩期間,電信號(hào)從兩個(gè)電容器中的一個(gè)傳輸?shù)绞⒕w,然后在連續(xù)回路中傳輸回另一個(gè)電容器。如果由于石英晶體的缺陷而增加舊晶體的等效電阻,并變得高于振蕩器電路的負(fù)電阻,則振蕩過(guò)程甚至可能永遠(yuǎn)不會(huì)開(kāi)始。

晶體振蕩器內(nèi)部有什么?

晶體振蕩器的組件對(duì)于振蕩器的正常運(yùn)行和穩(wěn)定性至關(guān)重要,這就是為什么Suntsu以提供帶有正確制造并免受外部應(yīng)力和環(huán)境變化影響的振蕩器的產(chǎn)品而自豪的原因。通常,晶體振蕩器將由陶瓷封裝、集成電路和石英晶體組成。IC用導(dǎo)線粘合,石英晶體通過(guò)導(dǎo)電環(huán)氧樹脂附著在封裝上,然后將整個(gè)封裝密封在N下2條件。


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