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進口晶振

首頁進口晶振加高晶振,HSO751S晶振,加高晶體振蕩器,日本進口晶振

    加高晶振,HSO751S晶振,加高晶體振蕩器,日本進口晶振

  • 產(chǎn)品型號:73548565
  • 晶振頻率:1.800~160.000MHZ
  • 晶振尺寸:
  • 產(chǎn)品應用: 無線通信,智能手機,平板筆記本,計算機,全球GPS定位系統(tǒng),WLAN網(wǎng)絡產(chǎn)品等...

  
加高晶振,HSO751S晶振,加高晶體振蕩器,日本進口晶振,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計。從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm石英晶振,6035mm石英晶振,5032mm石英晶振,3225mm石英晶振,2520mm石英晶振,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能.電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.

晶振各項參數(shù) 符號 HSO751S石英晶體振蕩器參數(shù)規(guī)格說明 需知條件
額定頻率范圍 f_nom 1.800MHz ~ 160.000MHz 基頻
對于超出標準的規(guī)格說明,
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儲存溫度 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
工作溫度 T_use -10°C ~ +70°C  
激勵功率 DL 10µW typ.(100µW Max.) 推薦:1µW ~ 100µW
電源電壓 V_ +2.5 V (±10%)     +2.85 V (±10%) +3.3 V (±10%)     +5 V (±10%)  
頻率溫度特征 f_tem ±10 ppm,±20 ppm,±30 ppm或±50 ppm(-20 + 70°C)
±30 ppm或±50 ppm(-40 + 85°C)
對于超出標準的規(guī)格說明,
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負載電容 CL 15pF, 30pF, 50pF Max. 對于超出標準的規(guī)格說明,
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串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C to +85°C, 
DL = 100µW
頻率老化 f_age ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年



  1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
 驅動能力(P)=i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且Re=R1(1+Co/CL)2.

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩.為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻.

3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示.電路中的負載電容的近似表達式CL≒CG×CD/(CG+CD)+CS.
其中CS表示電路的雜散電容.


  深圳泰河電子公司主要生產(chǎn)產(chǎn)品為全系列石英晶體振蕩子即:石英晶體諧振器,(DIP晶體和貼片晶振).石英晶體振蕩器(SMD OSCILLATOR) 和石英晶振控制振蕩器(SMD晶振VCXO壓控晶振).泰河電子公司擁有超過10年以上的生產(chǎn)經(jīng)驗.秉持著持續(xù)開發(fā)與專業(yè)技術支持.提供使用者最佳的解決方案及最好的服務品質.產(chǎn)品廣泛用于移動通訊機,數(shù)字電視,計算機周邊產(chǎn)品,數(shù)碼產(chǎn)品,GPS,通信基站.等高科技產(chǎn)品.其中我司的SMD陶瓷中頻濾波器,SMD陶瓷諧振器等晶振,在通訊機和高檔次游戲機上使用時與日本村田(MURATA)公司性能兼容,體積小,高性能,超薄型.我們擁有日本先進生產(chǎn)技術和技術人員,從韓國SANSUNG公司,SUNIC公司,日本HAMAI公司引進劃片,成模,研磨,檢測.等高精密的自動設備,構造成現(xiàn)代化完美的機械化生產(chǎn)線,從而提高了產(chǎn)品合格率、可靠性、一致性,成本大大降低.同時,我們還擁有一支服務誠懇,兢兢業(yè)業(yè),及具競爭意識的銷售團隊,產(chǎn)品主要銷往新加坡,馬來西亞,巴西,澳大利亞,美國,加拿大等國家.我們的銷售與生產(chǎn)完美的融為一體.

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